ჩამოსხმული დენის ინდუქტორი
-
მორგებული მაღალი დენის ტოროიდული დენის ინდუქტორი
(1).ყველა ტესტის მონაცემი ეფუძნება 25℃ გარემოს.
(2).DC დენი (A), რომელიც გამოიწვევს მიახლოებით △T40℃
(3).DC დენი (A), რომელიც გამოიწვევს L0-ის დაცემას დაახლოებით 30% ტიპი
(4).ოპერაციული ტემპერატურის დიაპაზონი: -55℃~+125℃
(5). ნაწილის ტემპერატურა (ატმოსფერო + ტემპერატურის მატება) არ უნდა აღემატებოდეს 125℃-ს უარეს შემთხვევაში მუშაობის პირობებში.მიკროსქემის დიზაინი, კომპონენტი.PWB კვალი ზომა და სისქე, ჰაერის ნაკადი და სხვა გაგრილების უზრუნველყოფა გავლენას ახდენს ნაწილის ტემპერატურაზე.ნაწილის ტემპერატურა უნდა შემოწმდეს დენის აპლიკაციაში
-
მორგებული SMD ჩამოსხმის მაღალი დენის ტოროიდული დენის ინდუქტორი
მახასიათებლები
(1).ყველა ტესტის მონაცემი ეფუძნება 25℃ გარემოს.
(2).DC დენი (A), რომელიც გამოიწვევს მიახლოებით △T40℃
(3).DC დენი (A), რომელიც გამოიწვევს L0-ის დაცემას დაახლოებით 30% ტიპი
(4).ოპერაციული ტემპერატურის დიაპაზონი: -55℃~+125℃
(5). ნაწილის ტემპერატურა (ატმოსფერო + ტემპერატურის მატება) არ უნდა აღემატებოდეს 125℃-ს უარეს შემთხვევაში მუშაობის პირობებში.მიკროსქემის დიზაინი, კომპონენტი.PWB კვალი ზომა და სისქე, ჰაერის ნაკადი და სხვა გაგრილების უზრუნველყოფა გავლენას ახდენს ნაწილის ტემპერატურაზე.ნაწილის ტემპერატურა უნდა შემოწმდეს დენის აპლიკაციაში.
-
მორგებული ინტეგრირებული მაღალი დენის ტოროიდული დენის ინდუქტორი
1. მოდელის ნომერი: MS0420-1R0M 2. ზომა: გთხოვთ, იხილოთ დეტალები ქვემოთ მომხმარებლის მოდელის NO.MS0420-1R0M REVISION A/0 FILE NO.ნაწილი NO.თარიღი 2023-3-27 1.პროდუქტის განზომილება ერთეული:მმ A 4.4±0.35 B 4.2±0.25 C 2.0 მაქს D 1.5±0.3 E 0.8±0.3 2. ელექტრული მოთხოვნილებები 1.μ ±20% 100KHz/1.0V MICROTEST 6377 DCR(mΩ) 27mΩMAX 25℃ TH2512A I sat(A) 7.0A TYP L0A*70% 100KHz/1.0V MICROTEST 6377Prm⤖s2AT ℃ 100K. .. -
მაგნიტური დაუცველი ელექტრონული კომპონენტის მავთულის ჭრილობა Smd ჩიპი ფერიტის სპილენძის ბირთვის ინდუქტორის კოჭა
ᲛᲐᲮᲐᲡᲘᲐᲗᲔᲑᲚᲔᲑᲘ
(1) ROHS თავსებადი.
(2) სუპერ დაბალი წინააღმდეგობა, ულტრა მაღალი დენის ნიშანი.
(3) მაღალი ხარისხის (მე ვიჯექი) რეალიზებული ლითონის მტვრის ბირთვით.
(4) სიხშირის დიაპაზონი: 1 MHZ-მდე.